ตัวเลือกทรานซิสเตอร์ MOS

การค้นหาความผิดปกติของทรานซิสเตอร์ด้วยตัวเลือกการทดสอบทรานซิสเตอร์ MOS:

•พารามิเตอร์การวัด: แรงดันไฟฟ้าเปิด UGS (th), ความต้านทานภายใน RDS, Transconductance gm, แรงดันไฟฟ้า V (BR) DS
•ช่วงการทดสอบ: UGS (th) 0.1-9.9V; RDS 0.001-9.999 Ωกรัม 0.10-10.00 วินาที; วี (BR) DS 50-650V
•ทดสอบช่วงปัจจุบัน: 0.1A-5A ปรับได้ให้สอดคล้องกับสถานการณ์การทำงานที่แตกต่างกัน
•การเลือกอัตโนมัติจากขีด จำกัด ที่น่ากลัวเพิ่มประสิทธิภาพในการทำงาน
•เทคนิคการทดสอบ RDS ภายใต้กระแสใหญ่เป็นเทคนิคขั้นสูง