HBM/MM ESD Simulators สำหรับการทดสอบ IC

การขอ ESD-883D HBM/MM ESD Simulators สำหรับการทดสอบ IC เป็นอุปกรณ์ทดสอบภูมิคุ้มกัน ESD ที่มีความแม่นยำสูงซึ่งออกแบบมาเป็นพิเศษโดย LISUN สำหรับส่วนประกอบเซมิคอนดักเตอร์ (เช่น ชิป ไดโอด ทรานซิสเตอร์ และโมดูลไอซี) ฟังก์ชันนี้คือการจำลองแบบจำลองการคายประจุไฟฟ้าสถิตสองแบบที่พบได้ทั่วไปในกระบวนการผลิต การขนส่ง และการประกอบเซมิคอนดักเตอร์ ได้แก่ แบบจำลองร่างกายมนุษย์ (HBM) และแบบจำลองเครื่องจักร (MM) ด้วยระบบฉีดพัลส์แรงดันสูงที่ได้มาตรฐาน เครื่องทดสอบจะประเมินขีดจำกัดความคลาดเคลื่อนของส่วนประกอบเซมิคอนดักเตอร์ต่อแรงกระแทกจากไฟฟ้าสถิต ระบุข้อบกพร่องที่อาจเกิดขึ้น (เช่น การพังของเกตและความเสียหายที่จุดต่อ PN) ที่เกิดจากไฟฟ้าสถิต และให้พื้นฐานการทดสอบที่สำคัญสำหรับการออกแบบความน่าเชื่อถือและการตรวจสอบคุณภาพโรงงานของส่วนประกอบเซมิคอนดักเตอร์ ด้วยการออกแบบวงจรแบบโมดูลาร์ เครื่องทดสอบนี้รองรับการสลับระหว่างโหมดการทดสอบ HBM และ MM ด้วยการคลิกเพียงครั้งเดียว มาพร้อมกับระบบป้อนกลับแรงดันไฟฟ้าที่มีความแม่นยำสูง ช่วยให้มั่นใจได้ว่าความคลาดเคลื่อนของแรงดันไฟฟ้าในการคายประจุจะอยู่ที่ ≤ ±3% ในขณะเดียวกัน เครื่องทดสอบยังมีกล่องป้องกันฝุ่นและป้องกันการกัดกร่อนในตัว ซึ่งเหมาะสำหรับข้อกำหนดด้านสิ่งแวดล้อมที่เข้มงวดของห้องปลอดเชื้อเซมิคอนดักเตอร์ (คลาส 1000)

การขอ ESD-883D เครื่องจำลอง HBM/MM ESD มาพร้อมกับหน้าจอสัมผัสขนาดใหญ่ที่รองรับทั้งภาษาจีนและภาษาอังกฤษ ช่วยให้สามารถตั้งค่าพารามิเตอร์การทดสอบล่วงหน้าได้ (เช่น ระดับมาตรฐาน HBM ที่ 2kV/4kV/8kV) และรองรับ LISUNอุปกรณ์ทดสอบเซมิคอนดักเตอร์ที่บริษัทพัฒนาขึ้นเอง (เช่น อุปกรณ์ทดสอบแบบแพ็คเกจ TO และแบบชิป SMD) อุปกรณ์นี้สามารถนำไปปรับใช้กับส่วนประกอบเซมิคอนดักเตอร์ที่มีแพ็คเกจหลากหลายประเภท รวมถึง DIP, SOP และ QFP จึงไม่จำเป็นต้องเปลี่ยนอุปกรณ์ทดสอบบ่อยๆ ไม่ว่าจะเป็นการตรวจสอบความน่าเชื่อถือของชิปในบริษัทออกแบบเซมิคอนดักเตอร์ การตรวจสอบคุณภาพโรงงานในโรงงานบรรจุภัณฑ์ หรือการรับรองมาตรฐานในห้องปฏิบัติการของบุคคลที่สาม อุปกรณ์นี้สามารถมอบสภาพแวดล้อมการทดสอบที่เสถียรและแม่นยำ ช่วยให้ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์เป็นไปตามมาตรฐานการป้องกันไฟฟ้าสถิตในตลาดโลก

ข้อมูลจำเพาะ:

หมายเหตุ ESD-883D สามารถแชร์โฮสต์กับ การทดสอบ ESD สำหรับ IC แบบ Charged Device Mode (CDM) แบบ ESD-CDM เพื่อทดสอบ HBM, MM และ CDM ในเวลาเดียวกัน (LISUN รูปแบบ: ESD-883D/อีเอสดี-ซีดีเอ็ม)

การใช้งาน:
1. สาขาการออกแบบเซมิคอนดักเตอร์และการวิจัยและพัฒนา
• การตรวจสอบความน่าเชื่อถือของชิป: สำหรับ MCU, ชิปจัดการพลังงาน, ชิป RF และอุปกรณ์อื่นๆ ที่พัฒนาโดยบริษัทออกแบบวงจรรวม จะมีการทดสอบ HBM (เช่น ระดับมาตรฐาน 1kV/2kV/4kV) เพื่อจำลองการคายประจุไฟฟ้าสถิตเมื่อร่างกายมนุษย์สัมผัสกับชิป การทดสอบ MM (เช่น 0.5kV/1kV) ใช้เพื่อจำลองการคายประจุไฟฟ้าสถิตเมื่ออุปกรณ์อัตโนมัติ (เช่น อุปกรณ์ติดตั้งชิปและโพรบ) สัมผัสกับชิป การตรวจสอบนี้จะช่วยตรวจสอบความต้านทานไฟฟ้าสถิตของชั้นออกไซด์เกตของชิปและรอยต่อ PN ปรับปรุงการออกแบบการป้องกันไฟฟ้าสถิตของชิป (เช่น การเพิ่มไดโอดป้องกัน ESD) และป้องกันความเสียหายของชิปที่เกิดจากการป้องกันไฟฟ้าสถิตที่ไม่เพียงพอในระหว่างขั้นตอนการวิจัยและพัฒนา
• การทดสอบความไวต่อไฟฟ้าสถิตของวัสดุใหม่: การทดสอบ HBM/MM ดำเนินการกับวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ใหม่ (เช่น อุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ SiC และ GaN แบบแบนด์แก๊ปกว้าง) เพื่อประเมินระดับความไวต่อไฟฟ้าสถิตของวัสดุเหล่านี้ (เช่น คลาส 000, คลาส 00) วิธีนี้ให้ข้อมูลที่เชื่อถือได้สำหรับการประยุกต์ใช้วัสดุใหม่ในชิปความถี่สูงและแรงดันไฟฟ้าสูง

2. สาขาการบรรจุและการผลิตเซมิคอนดักเตอร์
• การตรวจสอบคุณภาพหลังการบรรจุ: ในโรงงานบรรจุภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์ (เช่น หลังจากกระบวนการบรรจุภัณฑ์ DIP, SOP และ QFP) จะมีการทดสอบการสุ่มตัวอย่าง HBM/MM บนอุปกรณ์บรรจุภัณฑ์ของแต่ละชุด ด้วยการใช้ฟังก์ชันการสลับโหมดคู่ที่รวดเร็วของ ESD-883Dการทดสอบจะตรวจสอบว่าปัญหาต่างๆ เช่น การยึดติดลวดที่ไม่ดีหรือความเสียหายของคอลลอยด์บรรจุภัณฑ์ในระหว่างกระบวนการบรรจุภัณฑ์ ส่งผลให้อุปกรณ์มีความไวต่อไฟฟ้าสถิตลดลงหรือไม่ วิธีนี้ช่วยให้มั่นใจได้ว่าอุปกรณ์ขาออกเป็นไปตามข้อกำหนดของมาตรฐาน JEDEC JESD22-A114F/A115-A

3. สาขาเซมิคอนดักเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ยานยนต์
• การทดสอบ ESD ของชิปยานยนต์: สำหรับ MCU และชิปเซ็นเซอร์ยานยนต์ (เช่น ชิปเรดาร์คลื่นมิลลิเมตรและชิป ISP ของกล้อง) ตามข้อกำหนด “การทดสอบความไวต่อ ESD” ที่ระบุไว้ใน AEC-Q100 (มาตรฐานความน่าเชื่อถือของชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ยานยนต์) จะทำการทดสอบ HBM 8kV และ MM 2kV การทดสอบเหล่านี้จำลองการเกิดไฟฟ้าสถิตระหว่างกระบวนการประกอบยานยนต์ (เช่น การเสียบ/ถอดปลั๊กขั้วต่อด้วยตนเอง การประกอบอัตโนมัติ) เพื่อให้มั่นใจถึงความน่าเชื่อถือในการต้านทานไฟฟ้าสถิตของชิปในสภาพแวดล้อมยานยนต์ และป้องกันการทำงานผิดปกติของระบบยานยนต์ที่เกิดจากไฟฟ้าสถิต (เช่น ไฟดับที่แผงหน้าปัดและสัญญาณเตือนที่ผิดพลาดในสัญญาณการขับขี่อัตโนมัติ)
• การทดสอบโมดูล IGBT: การทดสอบ HBM/MM ดำเนินการกับชิปเกตไดรเวอร์ของโมดูล IGBT สำหรับรถยนต์พลังงานใหม่ การทดสอบเหล่านี้จะช่วยยืนยันความคลาดเคลื่อนทางไฟฟ้าสถิตของวงจรเกต ช่วยป้องกันการเปิด IGBT ผิดพลาดหรือการพังของเกตที่เกิดจากไฟฟ้าสถิต และช่วยให้มั่นใจได้ถึงการทำงานที่ปลอดภัยและเสถียรของระบบไฟฟ้าในรถยนต์พลังงานใหม่

4. สาขาเซมิคอนดักเตอร์ทางทหารและความน่าเชื่อถือสูง
• การทดสอบชิปทางทหาร: ตามมาตรฐาน GJB 548B-2020 วิธี 3015 และ MIL-STD-883 วิธี 3015 ได้มีการทดสอบ HBM/MM อย่างเข้มงวด (เช่น HBM 8kV, MM 5kV) บนชิปสื่อสารทางทหาร ชิปเรดาร์ และชิปนำทาง การทดสอบเหล่านี้จำลองสถานการณ์ไฟฟ้าสถิตระหว่างการขนส่งผลิตภัณฑ์ทางทหาร (เช่น การสั่นสะเทือนและแรงเสียดทานในกล่องกระสุน) และการใช้งานในสนามรบ (เช่น ไฟฟ้าสถิตในร่างกายมนุษย์ในสภาพแวดล้อมแห้ง) เพื่อให้มั่นใจถึงประสิทธิภาพการต้านทานไฟฟ้าสถิตของชิปในสภาพแวดล้อมที่รุนแรง และเพื่อรักษาความน่าเชื่อถือในการใช้งานของอุปกรณ์ทางทหาร
• การทดสอบเซมิคอนดักเตอร์ในอวกาศ: สำหรับอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ในอวกาศ (เช่น ชิปนำทางดาวเทียมและชิปจัดการพลังงานยานอวกาศ) โดยใช้ประโยชน์จากความสามารถในการปรับตัวในช่วงอุณหภูมิที่กว้าง (0℃~40℃) ของ ESD-883Dการทดสอบ HBM/MM ดำเนินการภายใต้สภาพแวดล้อมจำลองภายในห้องโดยสารของยานอวกาศ การทดสอบเหล่านี้จะช่วยยืนยันความไวต่อไฟฟ้าสถิตของอุปกรณ์ในสภาพแวดล้อมสุญญากาศและอุณหภูมิต่ำในอวกาศ เพื่อป้องกันการทำงานผิดปกติของยานอวกาศอันเนื่องมาจากการคายประจุไฟฟ้าสถิตในอวกาศ

5. สาขาการทดสอบและการรับรองจากบุคคลที่สาม
• การทดสอบการรับรองการปฏิบัติตาม: สถาบันทดสอบของบุคคลที่สาม เช่น SGS, CQC และ TÜV ใช้ ESD-883D อุปกรณ์นี้ สอดคล้องกับมาตรฐานสากล ได้แก่ IEC 60749-26/27 และ JEDEC JESD22-A114F/A115-A โดยจัดทำรายงานการทดสอบความไวต่อไฟฟ้าสถิต HBM/MM สำหรับบริษัทเซมิคอนดักเตอร์ ซึ่งช่วยให้ผลิตภัณฑ์ของบริษัทได้รับการรับรองมาตรฐานต่างๆ เช่น CE (สหภาพยุโรป), UL (สหรัฐอเมริกา) และ CCC (จีน) ทำให้สามารถเข้าถึงตลาดทั่วโลกได้
• การตรวจสอบความสอดคล้องตามมาตรฐาน: สำหรับการรับรองคุณสมบัติของห้องปฏิบัติการทดสอบเซมิคอนดักเตอร์ (เช่น การรับรอง CNAS) ESD-883D สามารถใช้เป็นอุปกรณ์ทดสอบมาตรฐานได้ ด้วยการสอบเทียบมาตรฐานอย่างสม่ำเสมอ (เป็นไปตามข้อกำหนดของ ISO 17025) จึงมั่นใจได้ถึงความสามารถในการตรวจสอบย้อนกลับของข้อมูลการทดสอบ ช่วยให้ห้องปฏิบัติการผ่านการตรวจสอบคุณสมบัติ และสามารถออกรายงานผลการทดสอบที่เชื่อถือได้

6. สาขาเซมิคอนดักเตอร์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค
• การทดสอบชิประดับผู้บริโภค: สำหรับอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค เช่น ชิปโทรศัพท์มือถือ ชิปหูฟังบลูทูธ และ MCU ในบ้านอัจฉริยะ จะมีการทดสอบ HBM (2kV~4kV) และ MM (0.5kV~1kV) การทดสอบเหล่านี้จำลองการเกิดไฟฟ้าสถิตระหว่างการใช้งานของผู้บริโภค (เช่น การเสียบ/ถอดสายชาร์จโทรศัพท์มือถือ การสวมหูฟัง) เพื่อให้มั่นใจว่าอุปกรณ์เป็นไปตามมาตรฐานการป้องกันไฟฟ้าสถิตสำหรับผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค และป้องกันปัญหาต่างๆ เช่น การชนของผลิตภัณฑ์หรืออายุการใช้งานแบตเตอรี่ลดลงเนื่องจากไฟฟ้าสถิต
• การทดสอบส่วนประกอบเซมิคอนดักเตอร์: การทดสอบ HBM/MM ดำเนินการกับส่วนประกอบเซมิคอนดักเตอร์ในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค (เช่น โมดูลกล้องและส่วนประกอบไอซีไดรเวอร์จอแสดงผล) การทดสอบเหล่านี้ตรวจสอบความต้านทานไฟฟ้าสถิตของชิปหลายตัวที่ทำงานร่วมกันภายในส่วนประกอบต่างๆ ช่วยป้องกันความเสียหายต่อส่วนประกอบทั้งหมดอันเนื่องมาจากความล้มเหลวจากไฟฟ้าสถิตของชิปตัวเดียว และลดอัตราความล้มเหลวหลังการขายของผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค